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功率器件研发设计工程师

¥13~15K/月

重庆 -渝北区 · 学历不限 · 1年及以上 ·年龄不限·招1人

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岗位职责

职责描述:1. 负责TRENCH MOS设计开发工作,制定产品工艺参数,完成光罩制作,产品流片,晶圆制造订单处理等工作。2. 负责对新产品开发过程中发生的各种问题提出,联络、协商解决方法,持续改进。3、负责产品开发过程参数收集与验证,以及数据分析。4、负责产品封装,成品测试,产品规格书编写5、协助品质部处理产品的失效分析。任职资格:1.本科学历及以上,微电子相关专业;2.具有1-2年相关晶圆厂或功率器件开发经验;3.掌握版图设计软件等设计工具优先;4.熟悉元器件产品结构、电性参数等;5.认真负责、对人能团结合作,善于沟通,有创新精神。

工作地址

(重庆渝北区重科智谷D座上海晶岳电子有限公司10…) 查看地图

 

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